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1. Van-der-Pauw测量
为了样品的电导率(σ)和霍尔系数(A H),使用Van-der-Pauw方法。在将样品沉积到芯片上之后,样品已经在其边缘连接到四个电极A,B,C和D。为了进行测量,在两个触点之间施加电流,并测量其余两个触点之间的相应电压。通过顺时针改变触点并重复该过程,可以使用Van-der-Pauw公式计算出样品的电阻率。通过施加磁场并测量对角范德堡电阻的相应变化,可以计算出样品的霍尔系数。
2. Seebeck系数测量
为了Seebeck系数,在芯片上靠近样品的地方放置了一个额外的温度计和加热器。这种配置允许在不同的温度梯度下测量热电压,可用于计算塞贝克系数S = -V th / ∆T。
3.薄膜热导率测量
为了面内热导率,使用了正在申请的热条纹悬浮膜装置。在这种设置中,一根小的电线用作加热器和温度传感器。感兴趣的样品将直接沉积在该膜上。为了进行测量,将电流施加电晕机处理机到热线,该热线由于焦耳热而被加热。由于温度上升,导线的电阻率发生变化,可以测量。从这种电阻率变化以及对设置的确切几何形状薄膜锁边机的了解,可以计算回样品的导热率。
根据样品,还可以测量发射率和比热。为了获得高质量的结果,-7 W / K。