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组件
基本设置包括一个可在其上沉积样品的薄膜锁边机测量芯片和一个可提供所需环境条件的测量室。根据不同的应用，该设置锁定放大器和/或强电磁铁一起使用。通常在UHV下进行测量，并且在测量过程中使用LN 2和加热器可以将样品温度控制在-170°C至280°C之间。
预结构化的测量芯片
该芯片将用于导热率测量的3 Omega测量与用于电传输特性的4点Van-der-Pauw装置相结合。塞贝克系数可以使用位于Van-der-Pauw电极附近的其他电阻温度计测量。为了便于样品制备，可以使用剥离箔罩或金属荫罩。这种配置允许同时电晕机表征通过PVD（例电晕机如热蒸发，溅射），CVD（例如ALD），旋涂，滴铸或喷墨印刷制备的样品。
该系统的大优点是测量同时多种物理性质。测量均沿相同（面内）方向进行，并且可比。
模块化设计
从用于测量热导率的基本设置开始，可以使用热电套件来测量电导率和塞贝克系数，或者使用磁性套件来进行霍尔常数，迁移率和电荷载流子浓度测量。
系统配置
基本系统/热电封装/磁性封装/冷却选件
薄膜分析仪（TFA）提供以下包装选项：
基本设备（包括瞬态包装）
包括测量室，真空泵，带有加热器的基本样品架，用于3ω方法的系统集成锁定放大器，PC和LINSEIS软件包，包括测量和评估软件。
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